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MOSFET Canal P
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PUT
Fototransistor NPN
Fototransistor PNP
HEMT
MESFET
TFT
Descripción:
Especificaciones Técnicas
V
CEO
(Voltaje Colector-Emisor Máximo) (V):
Máximo voltaje entre colector y emisor con la base abierta
I
C
(Corriente de Colector Máxima) (A):
Corriente máxima que puede circular por el colector
β (h
FE
) (Ganancia de Corriente):
Relación entre corriente de colector y corriente de base
P
tot
(Potencia Máxima Disipable) (W):
Máxima potencia que puede disipar el transistor
f
T
(Frecuencia de Transición) (MHz):
Frecuencia donde la ganancia de corriente cae a 1
V
BE
(Voltaje Base-Emisor) (V):
Voltaje necesario para polarizar la unión base-emisor
Aplicaciones comunes:
Transistores equivalentes:
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